基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、南京、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。基本半导体掌握领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，累计获得两百余项专利授权，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
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产品型号 封装 电压(V) 电流(A)
B1D02065E TO-252 650 2
B1D02065K TO-220 650 2
B1D04065E TO-252 650 4
B1D04065K TO-220 650 4
B1D04065KF TO-220F 650 4
B2D04065V SMBF 650 4
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B2D04065K1 TO-220 650 4
B204065KF1 TO-220F 650 4
B2D04065D1 DFN5*6 650 4
B2D04065V1 SMBF 650 4
B1D06065E TO-252 650 6
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B1D06065K TO-220 650 6
B1D06065KS TO-220 650 6
B1D06065KF TO-220 650 6
B2D06065K TO-220 650 6
B2D06065E TO-252 650 6
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B1D08065E TO-252 650 8
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B2D08065KS "TO-220
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B2D10065KS "TO-220
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B2D16120HC1 TO-247-3 1200 8
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B2DH20120W1 TO-247plus 1200 20
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B1M080120HK TO-247-4 1200 20
B1M160120HC TO-247-3 1200 10
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。
基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点：
更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时VF随温度的增长率也更低，使应用导通损耗更低。
更低QC：第三代二极管具有更低QC，使应用开关损耗更低。
更高性价比：芯片面积减小后，第三代二极管具有更高性价比。
更高产量：使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台的2倍以上。